固相エピタキシー法によるSi(111)表面上のGe3次元島のコースニング過程 : エピタキシャル成長IV
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概要
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The nucleation and growth of 6-ML-thick Ge films on Si(111) surfaces in solid phase epitaxy have been investigated by scanning tunneling microscopy (STM). Crystalline three-dimensional (3D)-islands and small grains with irregular shapes were initially formed. The 3D-islands preferentially grow with the expense of the small grains, which corresponds to the coarsening process. Considering the results of STM observation, we discuss the origin of the activation energy which was obtained by growth temperature dependence of the 3D-island density.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
名大院工
-
酒井 朗
大阪大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
鈴村 功
名大院工
-
鳥毛 裕二
名大院工
-
岡田 昌久
名大院工
-
池田 浩也
名大院工
-
財満 鎭明
名大先端研
-
安田 幸夫
名大院工
-
財満 鎭明
名古屋大学
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