31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1995-03-16
著者
-
川畑 史郎
産総研
-
野々山 信二
山形大地教
-
川畑 史郎
産総研:jst-crest
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
野々山 信二
名大工
-
安田 幸夫
名大工
-
川畑 史郎
名大工
-
財満 鎭明
名大工
-
川畑 史郎
産総研:crest
関連論文
- エレクトロルミネッセンス撮像法による太陽電池用多結晶シリコン基板の評価(太陽電池材料の結晶工学:結晶成長を中心に)
- 18aRC-5 s波/d波超伝導体ジョセフソン接合における量子散逸と巨視的量子トンネル現象(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aHW-3 強磁性絶縁体/超伝導体ジョセフソン接合におけるπ接合の理論(20aHW 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aHW-4 強結合固有接合における協力的量子トンネル現象の理論(20aHW 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYF-2 スピンフィルター効果を用いてπ接合を実現できるか?(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aWQ-5 Bi-2201を用いた固有ジョセフソン接合の輸送特性(26aWQ 磁束量子系I(ジョセフソン磁束・渦系ダイナミクス),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pWJ-10 LC回路と結合したジョセフソン接合における多次元量子トンネル現象の理論(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18aRC-2 強磁性絶縁体を介したジョセフソン電流の数値計算 : バンド構造の効果(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRD-7 d波Josephson接合における巨視的量子トンネル効果(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 18aRC-11 高温超伝導体の固有ジョセフソン接合を用いた量子ビットのデコヒーレンス評価(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pZQ-9 固有ジョセフソン接合のスイッチング特性(25pZQ 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 高温超伝導体固有ジョセフソン接合における巨視的量子トンネル現象 : 理論と実験(最近の研究から)
- 30aXC-11 異方的超伝導体接合におけるゼロエネルギー束縛状態と量子散逸(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 量子コンピュータ入門 : 基礎と研究開発の現状(学生/教養のページ)
- 22pPSA-82 微小高温超伝導体ジョセフソン接合における相転移(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aWF-7 高温超伝導体における巨視的量子トンネル現象の理論(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aWF-7 高温超伝導体における巨視的量子トンネル現象の理論(領域4,領域6,領域8,領域11合同企画講演,微小超伝導体,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aWF-7 高温超伝導体における巨視的量子トンネル現象の理論(領域4,領域6,領域8,領域11合同企画講演,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26pYT-13 超電導/強磁性体接合系における巨視的量子現象(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 高温超伝導体における巨視的量子トンネルと量子ビットへの応用 (〈超伝導接合の物理と応用〉特集号) -- (量子系としてのジョセフソン効果)
- 12pYB-1 異方的超伝導体ジョセフソン接合における巨視的量子トンネルと摩擦 2(微小超伝導・微小ジョセフソン接合, 領域 4)
- 磁性・スピントロニクス
- バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究
- グリーンレーザによる積層シリコンの結晶化--次世代ディスプレイの実現を目指して (特集 レーザ・光学系と大型液晶パネルプロセス)
- NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- フェリチンタンパクを利用したシリコン薄膜のバイオ結晶化法 (オプトロニクス 石油代替・ナノバイオ材料の可能性,「薄く」,「しなやか」な物性が得られる--FPD用部材における「バイオマス資源・タンパク質材料」の応用・採用の技術トレンド)
- 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン太陽電池用SiN_xパッシベーション膜におけるNH_3プラズマ界面改質効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 28a-L-3 量子細線における電子相関の効果
- 固体量子情報処理の理論:量子コンピュータとエンタングルメント検出 (特集号)
- 26aWQ-11 InGaAs系メゾスコピック正方形ループに見られた異常量子振動の解明に向けた電子ビリヤードシミュレーション(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
- 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
- 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
- 24pPSA-39 強磁性金属表面上の微小磁性体におけるスピン配向と磁気励起(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-44 強磁性金属表面における微小反強磁性体のスピンと磁気励起(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-59 磁性金属の表面における微小磁性体のスピンと磁気励起(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-64 金属表面上の微小磁性体における磁気励起(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-160 微小磁性体における磁気励起(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pPSA-53 強磁性ナノコンタクトにおけるスピン揺らぎへの磁壁の影響(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 20aPS-71 強磁性ナノコンタクトにおけるスピン揺らぎと磁壁の効果
- 28pPSA-24 強磁性ナノワイヤにおけるスピン揺らぎの励起スペクトル
- 17pPSA-43 強磁性細線におけるスピン揺らぎへの磁壁のピン止めの影響
- 28pPSB-12 構造を有する系における常伝導体/d-波超伝導体接合界面の量子干渉効果
- 28pYB-2 強磁性細線における磁壁の効果
- 23aPS-8 構造を有する系におけるN-S接合界面の量子干渉効果
- 23pSB-9 磁性半導体におけるスピン依存共鳴トンネル効果
- 23pSB-7 (Ga-Mn)Asの強磁性と電気伝導
- 24pPSB-47 強磁性細線における電気伝導度への磁壁の影響
- 26pPSA-29 強磁性細線における磁壁近傍でのスピン揺らぎによる伝導度への影響
- 29p-J-7 強磁性細線における磁壁近傍でのスピン揺らぎ
- 25a-YG-7 Recursion 法による磁場下における非平衡電流の数値計算II
- 26a-PS-46 超伝導界面における量子干渉効果
- 25a-YG-7 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算II
- 2p-Q-5 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算
- 1p-W-6 TMRに対する不純物および非平衡電流の効果
- 2p-Q-5 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算
- 6a-N-11 Recursion法による非平衡電流の数値計算
- 6a-N-11 Recursion法による非平衡電流の数値計算
- 29a-R-10 量子細線中の量子ドットによる散乱効果
- 29a-R-10 量子細線中の量子ドットによる散乱効果
- アンチドット格子系における電子状態II
- アンチドット格子系における電子状態II
- 1a-E-5 アンチドット格子の電子状態
- アンチドット格子における輸送現象
- 28a-X-9 アンチドット格子における輸送現象
- 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
- 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
- 3a-YE-4 量子細線における電子相関の効果II
- 電子導波路に於ける電荷分布の数値計算
- 23aWQ-6 分子磁性体を介したジョセフソン効果の理論(23aWQ 微小接合,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aWQ-7 固有接合における強制同期と協力的量子トンネル現象(23aWQ 微小接合,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27pYG-13 異方的超伝導体ジョセフソン接合における巨視的量子トンネルと摩擦(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- 18aTB-3 量子周波数標準とデコヒーレンス
- 強磁性絶縁体を利用した超伝導スピントロニクス
- 26aHD-5 固有ジョセフソン接合における第2スイッチングの理論(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-2 InGaAsメゾスコピックループ配列における時間反転干渉効果の半古典ビリヤードシミュレーションによる再現(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-14 InGaAs量子井戸メゾスコピック構造における磁気抵抗量子振動の半古典ビリヤード解析(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBC-3 不均一磁性体/超伝導接合系における近接効果の準古典グリーン関数理論(25aBC 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 25aBC-6 強磁性絶緑体を用いたジョセフソンπ接合の理論(25aBC 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aFE-4 固有ジョセフソン接合アンテナのTHz波放射特性(20aFE 磁束系・固有ジョセフソン結合,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aAF-9 超伝導/強磁性絶縁体/金属接合における電子及び熱輸送(19aAF 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29aRG-6 巨視的量子トンネルにおけるバンド間超伝導位相差ゆらぎの効果(29aRG 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29aXL-5 ビリヤード・シミュレーションを用いたメゾスコピックループアレイにおけるスピン軌道相互作用係数とカットオフ長の決定(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aRG-7 強磁性体/超伝導体接合における奇周波数ペアリングとスピンsinglet-tripletクロスオーバー(29aRG 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 7pPSB-18 量子ホール系における橋状態間トンネル電流の数値計算(領域4)
- 27pAW-2 InGaAs/InAlAsダブルヘテロ量子井戸基板上のメゾスコピックループアレイにおける量子補正項の定量的解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))