6a-N-11 Recursion法による非平衡電流の数値計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1997-09-16

著者

• 野々山 信二

  山形大地教

• 小栗 章

  大阪市大理

• 野々山 信二

  名大工

関連論文

• 26pJ-1 両端にリード線を接属したHubbard鎖の輸送係数
• 20pHW-7 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響II(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-6 量子ドット-ジョセフソン接合系における電流保存とWard恒等式(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aXG-10 透過係数のゼロ点、およびAndreev-Kondo系におけるFermi流体状態(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aVE-11 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSB-54 多端子対称ナノ構造体の基底状態の理論(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYF-6 3つのリード線に接続された3重量子ドットの基底状態と輸送現象 : NRGとフェルミ液体による解析(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pWH-10 量子ドット-ジョセフソン接合系における近藤スケーリング(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTH-1 ドット間斥力を有する2重量子ドットII(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pTH-3 量子ドット-ジョセフソン接合系の基底状態と擬スピンの対称性(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aRC-6 ドット間斥力を有する2重量子ドット系のコンダクタンスとエントロピー : ドット間斥力依存性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pRC-5 3重量子ドット系の近藤効果における長岡強磁性と軌道縮退の効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pRC-3 縮約密度行列を用いた非平衡Anderson模型の厳密対角化(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-8 対称性を有する「量子ドット+リード線」系の基底状態での輸送現象(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-10 3重量子ドット系の長岡強磁性と近藤効果(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXC-9 量子ドット-ジョセフソン系の束縛状態 : NRGによる研究(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXD-9 3C-SiCのSi,C-K吸収端における共鳴非弾性X線散乱の理論(27aXD X線,粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aWF-3 量子ドット-ジョセフソン系の近藤効果 : NRGによる研究(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-3 量子ドット鎖のコンダクタンス : NRGによるゲート電圧依存性等の研究(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 超伝導体に接続された量子ドット系の近藤効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
• 21aYF-1 T字型ダブルドット系における長距離的な近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pWH-8 T字型ダブルドット系におけるアンドレーエフ反射と近藤効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pTH-2 超伝導/常伝導り一ドに繋がれたT宇型ダプルドット系の輸送特性(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aRC-11 ダブルドット系におけるアンドレーエフ反射と近藤効果II(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aXL-1 ダブルドット系におけるアンドレーエフ反射と近藤効果(23aXL 量子ドット(理論I),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-4 超伝導/常伝導リードに繋がれた量子ドット系の数値繰り込み群による解析(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aYT-6 量子ドット-ジョセフソン接合系の近藤効果(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12pYB-4 量子ドットを含むジョセフソン接合における近藤効果(微小超伝導・微小ジョセフソン接合, 領域 4)
• 29pYA-13 有限温度における量子ドット・ABリング複合系の透過係数(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
• 27pYG-11 量子ドットを流れるジョセフソン電流における近藤効果(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
• 22pTH-10 量子ドットを埋め込んだ AB リング系の透過係数に対する摂動計算 II
• 22aTH-11 相互作用のある電子系の透過係数 : 数値くりこみ群による解析 II
• 22aTH-10 超伝導リードに接続された量子ドット系のジョセフソン効果 : 数値くりこみ群による研究
• 30pZP-3 量子ドット格子のコンダクタンス : 電子・正孔対称性のない場合 II
• 30pZP-2 量子ドットを埋め込んだ AB リング系の透過係数に対する摂動計算
• 30pZP-1 相互作用のある電子系の透過係数 : 数値くりこみ群による解析
• 18pYJ-9 相互作用のある電子系の透過係数: 直列量子ドット系への応用
• 18aYJ-4 リードに接続された電子間相互作用のある微小な2次元系の輸送現象II
• 27pTB-8 リードに接続された電子間相互作用のある微小な2次元系の輸送現象
• 27pTB-7 非平衡Anderson模型のFermi流体論
• 24pK-8 微小Hubbard鎖の輸送係数 : 温度依存性
• 29a-PS-3 磁性超微粒子合金における巨大磁気抵抗の理論III
• 28a-L-3 量子細線における電子相関の効果
• 24aWQ-13 量子ドット系での非対称アンダーソン模型のショットノイズ(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-11 準位構造が異なる3角形3重量子ドットの近藤効果(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-8 3端子に接続された量子ドット系のJosephson電流とAndreev-Kondo共鳴(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-7 超伝導相関のある量子ドットを介した常伝導リード間の非局所輸送特性 : 数値繰り込み群による解析(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 反強磁性秩序のもとでの結晶場励起を介した超伝導
• 結晶場励起を介した超伝導と磁気秩序 II
• 31a-YG-11 結晶場励起を介した超伝導と磁気秩序
• 2p-Z-10 結晶場励起を介した超伝導と磁気秩序の競合
• 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
• 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
• 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
• 24pPSA-39 強磁性金属表面上の微小磁性体におけるスピン配向と磁気励起(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-44 強磁性金属表面における微小反強磁性体のスピンと磁気励起(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-59 磁性金属の表面における微小磁性体のスピンと磁気励起(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-64 金属表面上の微小磁性体における磁気励起(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-160 微小磁性体における磁気励起(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-53 強磁性ナノコンタクトにおけるスピン揺らぎへの磁壁の影響(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 20aPS-71 強磁性ナノコンタクトにおけるスピン揺らぎと磁壁の効果
• 28pPSA-24 強磁性ナノワイヤにおけるスピン揺らぎの励起スペクトル
• 17pPSA-43 強磁性細線におけるスピン揺らぎへの磁壁のピン止めの影響
• 28pPSB-12 構造を有する系における常伝導体/d-波超伝導体接合界面の量子干渉効果
• 28pYB-2 強磁性細線における磁壁の効果
• 23aPS-8 構造を有する系におけるN-S接合界面の量子干渉効果
• 23pSB-9 磁性半導体におけるスピン依存共鳴トンネル効果
• 23pSB-7 (Ga-Mn)Asの強磁性と電気伝導
• 24pPSB-47 強磁性細線における電気伝導度への磁壁の影響
• 26pPSA-29 強磁性細線における磁壁近傍でのスピン揺らぎによる伝導度への影響
• 29p-J-7 強磁性細線における磁壁近傍でのスピン揺らぎ
• 25a-YG-7 Recursion 法による磁場下における非平衡電流の数値計算II
• 26a-PS-46 超伝導界面における量子干渉効果
• 25a-YG-7 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算II
• 2p-Q-5 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算
• 1p-W-6 TMRに対する不純物および非平衡電流の効果
• 2p-Q-5 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算
• 6a-N-11 Recursion法による非平衡電流の数値計算
• 6a-N-11 Recursion法による非平衡電流の数値計算
• 29a-R-10 量子細線中の量子ドットによる散乱効果
• 29a-R-10 量子細線中の量子ドットによる散乱効果
• アンチドット格子系における電子状態II
• アンチドット格子系における電子状態II
• 1a-E-5 アンチドット格子の電子状態
• アンチドット格子における輸送現象
• 28a-X-9 アンチドット格子における輸送現象
• 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
• 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
• 3a-YE-4 量子細線における電子相関の効果II
• 電子導波路に於ける電荷分布の数値計算
• 31a-PS-2 Gutzwiller波動関数に基づくd-pモデルの相図 : 超伝導状態の可能性
• 3a-PS-9 Gutzwiller 波動関数に基づく d-p モデルの超伝導状態
• H. Haug and A.-P. Jauho, Quantum Kinetics in Transport and Optics of Semiconductors, Springer, Berlin and Heidelberg, 1998, xvii+315p., 24×16cm, \14,720 (Springer Series in Solid-State Sciences) [大学院向・専門書]
• 31p-A-3 微小な系のコンダクタンスの準粒子ハミルトニアンによる解析II
• 27a-YG-5 微小な系のコンダクタンスの準粒子ハミルトニアンによる解析
• 7pPSB-18 量子ホール系における橋状態間トンネル電流の数値計算(領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク