27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1992-09-14

著者

• 野々山 信二

  山形大地教

• 青柳 克信

  理研

• 興地 斐男

  和歌山高専

• 興地 斐男

  阪大工

• 菅野 卓雄

  理研

• 野々山 信二

  理研フロンティア

• 中村 厚信

  阪大工

• 中村 厚信

  阿南高専

関連論文

• 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 29pZB-6 ナノギャップ電極上 C_ クラスター薄膜の伝導特性
• 30p-YP-10 波形制御パルス列レーザー生成Alプラズマ中の軟X線の往復増幅
• 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
• 14aYD-2 MWNT におけるキャリア注入による朝永・ラッティンジャー液体的振る舞いの消失(ナノチューブ伝導, 領域 7)
• 20aXF-13 多層カーボンナノチューブの層間電子輸送
• 28pPSA-20 電流注入効果による磁性細線内磁壁のドラッギング
• 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 波形制御パルス列レーザー生成A1プラズマ中の軟X線の往復増幅
• カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
• 25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
• 27a-R-6 時間依存衝突輻射モデルによるリチウム様アルミニウム再結合レーザーの利得
• 30a-YB-5 パルス列レーザー生成プラズマによる軟X線レーザーの利得
• ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
• アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
• 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
• 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
• 26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
• 31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
• 5a-E-3 GaN量子ドットの発光スペクトルの温度依存性
• 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
• 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
• 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
• 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
• 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
• 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
• 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
• 28a-L-3 量子細線における電子相関の効果
• 新たなブレークスルーには何が必要か
• 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
• 1a-N-7 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の強磁場依存性
• 28a-ZH-13 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の磁場依存性
• 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
• 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
• 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
• 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
• 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
• 29p-ZQ-12 AlGaN混晶における軟X線吸収の入射角依存性
• 29p-ZQ-11 III-V 族窒化物半導体における軟X線吸収の入射角依存性
• 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
• 29a-PS-55 Ni細線における磁化緩和
• 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
• 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
• 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
• 24pPSA-39 強磁性金属表面上の微小磁性体におけるスピン配向と磁気励起(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-44 強磁性金属表面における微小反強磁性体のスピンと磁気励起(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-59 磁性金属の表面における微小磁性体のスピンと磁気励起(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-64 金属表面上の微小磁性体における磁気励起(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-160 微小磁性体における磁気励起(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-53 強磁性ナノコンタクトにおけるスピン揺らぎへの磁壁の影響(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 20aPS-71 強磁性ナノコンタクトにおけるスピン揺らぎと磁壁の効果
• 28pPSA-24 強磁性ナノワイヤにおけるスピン揺らぎの励起スペクトル
• 17pPSA-43 強磁性細線におけるスピン揺らぎへの磁壁のピン止めの影響
• 28pPSB-12 構造を有する系における常伝導体/d-波超伝導体接合界面の量子干渉効果
• 28pYB-2 強磁性細線における磁壁の効果
• 23aPS-8 構造を有する系におけるN-S接合界面の量子干渉効果
• 23pSB-9 磁性半導体におけるスピン依存共鳴トンネル効果
• 23pSB-7 (Ga-Mn)Asの強磁性と電気伝導
• 24pPSB-47 強磁性細線における電気伝導度への磁壁の影響
• 26pPSA-29 強磁性細線における磁壁近傍でのスピン揺らぎによる伝導度への影響
• 29p-J-7 強磁性細線における磁壁近傍でのスピン揺らぎ
• 25a-YG-7 Recursion 法による磁場下における非平衡電流の数値計算II
• 26a-PS-46 超伝導界面における量子干渉効果
• 25a-YG-7 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算II
• 2p-Q-5 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算
• 1p-W-6 TMRに対する不純物および非平衡電流の効果
• 2p-Q-5 Recursion法による磁場下における非平衡電流の数値計算
• 6a-N-11 Recursion法による非平衡電流の数値計算
• 6a-N-11 Recursion法による非平衡電流の数値計算
• 29a-R-10 量子細線中の量子ドットによる散乱効果
• 29a-R-10 量子細線中の量子ドットによる散乱効果
• アンチドット格子系における電子状態II
• アンチドット格子系における電子状態II
• 1a-E-5 アンチドット格子の電子状態
• アンチドット格子における輸送現象
• 28a-X-9 アンチドット格子における輸送現象
• 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
• 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
• 3a-YE-4 量子細線における電子相関の効果II
• 電子導波路に於ける電荷分布の数値計算
• 7pPSB-18 量子ホール系における橋状態間トンネル電流の数値計算(領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク