InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
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概要
著者
-
平山 秀樹
理化学研究所
-
青柳 克信
東京工業大学
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青柳 克信
理研
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
理研フロンティア
-
中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
-
中村 孝夫
住友電工半導体研究所
-
秋田 勝史
住友電工半導体研究所
-
京野 孝史
住友電工半導体研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
京野 孝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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