220-270nm AlGaN系深紫外LEDの進展(<特集>光に関わる材料の世界 その1 : 多彩な固体発光材料の世界)
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概要
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We demonstrated AlGaN multi-quantum well (MQW) deep ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) with wavelength shorter than 280nm on sapphire substrates. Low threading-dislocation density (TDD) AlN templates were used that was fabricated by using ammonia (NH3) pulse-flow multi-layer growth method. We obtained single-peaked electroluminescence (EL) from the 222-273nm AlGaN deep-UV LEDs. The maximum output power and external quantum efficiency (EQE) were 0.15mW and 0.2%, respectively, for the 227nm LED under room temperature (RT) pulsed operation, and 2.0mW and 0.32%, respectively, for the 255nm LED under RT CW operation.
- 社団法人照明学会の論文
- 2008-06-01
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