ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている。AlGaN紫外LEDの高効率化のためには、低貫通転位密度AlNテンプレートの使用が重要である。本研究ではEpitaxial Lateral Overgrowth (ELO)-AlNを用いることにより低貫通転位密度AlNテンプレートを実現し、その上にAlGaN系紫外LEDを作製しCW動作においてミリワット動作を得た。サファイア基板上に、まず、減圧MOCVD法によりアンモニアパルス供給多段成長法を用いて下地AlN層を成長した。そのAlN層に5/3μmのストライプ構造を形成した後、ELO-AlNを作製した。その上にAlGaN3層量子井戸を発光層とするLEDを作製した。ELO-AlN上AlGaN-LEDからは波長273nmの強い発光ピークが得られ、室温CW動作において最大出力は2.7mW、最大外部量子効率(EQE)は0.04%であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
乗松 潤
理研
-
平山 秀樹
理研
-
鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
-
鎌田 憲彦
埼玉大学理工学研究科
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
高野 隆好
BEANSプロジェクト
-
椿 健治
BEANSプロジェクト
-
高野 隆好
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
-
椿 健治
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
-
乗松 潤
独立行政法人理化学研究所
-
平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
-
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
-
野口 憲路
独立行政法人理化学研究所
-
鎌田 憲彦
埼玉大 工
-
平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
-
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
-
鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
-
野口 憲路
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
-
平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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