乗松 潤 | 理研
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概要
関連著者
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乗松 潤
理研
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平山 秀樹
理研
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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藤田 浩平
三重大学大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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鎌田 憲彦
埼玉大学理工学研究科
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乗松 潤
独立行政法人理化学研究所
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平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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平松 和政
三重大 工
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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奥浦 一輝
三重大学大学院工学研究科
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高野 隆好
BEANSプロジェクト
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椿 健治
BEANSプロジェクト
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高野 隆好
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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椿 健治
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
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平山 秀樹
BEANSプロジェクト
著作論文
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)