三宅 秀人 | 三重大学大学院工学研究科

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概要

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• 三重大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 桑原 崇彰

  九州大学大学院総合理工学府

• 野村 拓也

  三重大学大学院工学研究科

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学大学院工学研究科

• 楊 士波

  三重大学大学院工学研究科

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 乗松 潤

  理研

• 平山 秀樹

  理研

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• Kuwano Noriyuki

  Department Of Materials Science And Technology Kyushu University

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス

• 龍 祐樹

  九州大学大学院総合理工学府

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学府

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 石井 丈晴

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 松岡 史晃

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 佐藤 英樹

  三重大学大学院工学研究科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス(株)

• 三宅 秀人

  三重大

• 島原 佑樹

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 武富 浩幸

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス株式会社

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 奥村 建太

  三重大学大学院工学研究科

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス(株)電子管事業部

• 小林 祐二

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• 高木 雄太

  三重大学大学院工学研究科

• 大内 澄人

  三重大学大学院工学研究科

• 福世 文嗣

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻:浜松ホトニクス株式会社

• 落合 俊介

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 高木 麻有奈

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 三宅 秀人

  三重大工

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 竹尾 隆

  三重大学大学院工学研究科

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• 菅原 克也

  北海道大学

• 元垣内 敦司

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大学

• 水野 章敏

  学習院大学理学部

• 田中 崇之

  東工大院理工

• 沢田 英敬

  JST-CREST

• 谷城 康眞

  東工大院理工

• 高柳 邦夫

  東工大院理工

• 木村 秀夫

  物質・材料研究機構

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 田中 克

  NHK放送技術研究所

• 福井 一俊

  福井大学遠赤外領域開発センター

• 島村 清史

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 田渕 雅夫

  名大VBL

• 木村 秀夫

  物材研

• 内山 裕士

  JASRI

• 島村 清史

  独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター

• 島村 清史

  (独)物質・材料研究機構 物質研究所

• 島村 清史

  物材研

• 福井 一俊

  福井大fir

• 安達 千波矢

  九大未来化学

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 和田 隆博

  龍谷大理工

• 神野 伊策

  京大

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 木村 秀夫

  物材機構

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 榊 裕之

  東大先端研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 榊 裕之

  (社)応用物理学会

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 鵜殿 治彦

  茨城大工

• 末益 崇

  筑波大物理工

• 近藤 行人

  JST-CREST

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 佐川 みすず

  (株)日立製作所中央研究所

• 酒井 朗

  大阪大学

• 江川 満

  富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 高柳 邦夫

  東工大理

• 島村 清史

  物材機構

• 水野. 章敏

  学習院大学理学部物理学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 竹田 美和

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学小型シンクロトロン光研究センター

• 大島 義文

  東工大総理工

• 高柳 邦夫

  東工大総理工

• 木村 秀夫

  NIMS

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部

• 神野 伊策

  松下電器産業(株)中央研究所

• 神野 伊策

  京大院工

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 土屋 朋信

  日立製作所中央研究所

• 高柳 邦夫

  東工大 総理工

• 元垣内 敦司

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小野 春彦

  神産技セ

• 鍋谷 暢一

  山梨大

• 五明 明子

  NEC

• 酒井 朗

  阪大

• 小椋 厚志

  明大

• 土屋 忠厳

  日立電線

• 西尾 譲司

  東芝

• 松原 浩司

  産総研

• 反保 衆志

  産総研

• 立岡 浩一

  静岡大

• 島村 清史

  NIMS

• 鍋谷 暢一

  山梨大学大学院医学工学総合研究部

• 柴田 泰宏

  三重大学工学部

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• 和田 隆博

  龍谷大

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 五明 明子

  NEC基礎研

• 近藤 行人

  Jst-crest:日本電子

• 土屋 朋信

  日立中研

• 谷城 康眞

  東工大院理工:jst-crest

• 難波江 宏一

  Nec

• 高柳 邦夫

  東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻

• 高柳 邦夫

  東京工業大学

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 元垣内 敦司

  三重大・工

• 土屋 朋信

  日立

• 末益 崇

  筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

• 末益 崇

  筑波大

• 沢田 英敬

  Jst-crest:日本電子

• 沢田 英敬

  東大工

• 澤田 英敬

  Jst-cresta:日本電子

• 福井 一俊

  福井大 工

• 只友 一行

  三菱電線工業

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 石賀 章

  三重大・工

• 大内 洋一郎

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 濱村 寛

  株式会社ニコン精機カンパニー

• 濱村 寛

  (株)ニコン精機カンパニー

• 安川 浩範

  三重大

• 木田 喜啓

  三重大

• 安川 浩範

  三重大学工学部

• 木田 喜啓

  三重大学工学部

• 安達 千波矢

  九大

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 田渕 雅夫

  名大

• 島村 清史

  物質・材料研究機構

• 竹下 茜

  東工大院総理工

• 日比野 紘大

  東工大院理工

• 久保田 忠弘

  本田技研

• 大島 義文

  東工大院総理工

• 榊 裕之

  生産技術研究所

• 榊 裕之

  豊田工業大学

• 木村 秀夫

  物質・材料研究機構応用結晶科学グループ

• 沢田 英敏

  Jst-ceest:日本電子

• 高柳 邦夫

  東工大

• 高柳 邦夫

  東工大理工

• 大島 義文

  東工大 総理工

• 田中 克

  Nhk

• 田中 崇之

  東工大院理工:jst-crest

• 宇佐美 徳隆

  東北大

• 近藤 康洋

  Ntt

• 只友 一行

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 赤崎 勇

  名城大学

• 佐川 みすず

  日立 中研

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 鵜殿 治彦

  茨城大

• 水野 章敏

  学習院大

• 谷城 康眞

  東工大院総合理工

• 高柳 邦夫

  東工大院総合理工

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所:科学技術振興機構(jst-crest)

• 平松 和政

  三重大

• 田中 崇之

  東工大院総理工:東工大院理工

• 反保 衆志

  産業技術総合研究所

• 高柳 邦夫

  東京工業大学物性物理学専攻

• 谷城 康眞

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 田中 崇之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学

• 前坂 考哉

  三重大学大学院工学研究科

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著作論文

• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 青色発光ダイオードを求めて
• 第11回「リフレッシュ理科教室」開催報告 : 東海支部三重会場
• 第10回「リフレッシュ理科教室」開催報告 : 東海支部三重会場
• 結晶成長技術
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
• 25pWZ-1 CuInSe_2結晶の欠陥のSTEM観察(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• ISGN-2 プレ・シンポジウム『未来を切り開く窒化物半導体結晶』(学会活動報告)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価
• ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 (電子デバイス)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般)

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