武富 浩幸 | 三重大学工学部
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概要
関連著者
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大 工
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武富 浩幸
三重大学工学部
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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武富 浩幸
三重大学工学部電気電子工学科
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
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菅原 克也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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高岡 秀嗣
浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部
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高岡 秀嗣
浜松ホトニクス株式会社
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福世 文嗣
浜松ホトニクス(株)
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久保 俊晴
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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岡田 知幸
浜松ホトニクス株式会社
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吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
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菅原 克也
北海道大学
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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福世 文嗣
浜松ホトニクス株式会社
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岡田 知幸
浜松ホトニクス(株)電子管事業部
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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吉田 治正
浜松ホトニクス
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
著作論文
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))