AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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発光素子,受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化,発光効率の向上が求められている.本研究では,反射光を用いたその場観察を行いながら減圧MOVPE法により,サファイア上のAlNエピタキシャル膜を下地結晶としてAlGaNの成長を行った.得られたAlGaNの(0002)回折,(10-12)回折のXRC-FWHMは231,489arcsecであり,高い結晶性を有していることが分かった.また電子線励起による光学特性評価では強い深紫外発光を観測した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-05-07
著者
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
-
高岡 秀嗣
浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部
-
高岡 秀嗣
浜松ホトニクス株式会社
-
福世 文嗣
浜松ホトニクス(株)
-
平松 和政
三重大 工
-
武富 浩幸
三重大学工学部
-
岡田 知幸
浜松ホトニクス株式会社
-
吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
福世 文嗣
浜松ホトニクス株式会社
-
武富 浩幸
三重大学工学部電気電子工学科
-
岡田 知幸
浜松ホトニクス(株)電子管事業部
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
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