サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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高性能深紫外受発光デバイスへの応用に,AlN膜の高品質化が求められている.本研究では,核形成層である中温(medium-temperature: MT-)AlN膜の成長条件を検討することにより,AlN膜とサファイア基板との界面層を制御することに着目した.1250℃で成長したMT-AlN膜上に高温(high-temperature: HT-)AlN膜を成長した場合,tilt,twist揺らぎはともに改善したものの,極性の混在したAlN膜となったため,表面凹凸の大きな膜となった.それに対して,MT-AlN膜の成長温度を1100℃とした場合,表面平坦性が良好でtilt揺らぎの小さな膜になったものの,twist揺らぎは大きな膜となった.さらなる高品質化を目指し, HT-AlN膜の成長条件検討として,キャリアガス及び成長温度の与える影響を調べた.結果,キャリアガス中のN_2の割合が増すほど圧縮応力が緩和された.これは,N_2の多い雰囲気下ではtype-a転位密度が高くなったため,転位により応力が緩和されたものと考えられる.
- 2011-11-10
著者
-
三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
光原 昌寿
九州大学大学院総合理工学研究院
-
平松 和政
三重大 工
-
桑野 範之
九州大学産学連携センター
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
Kuwano Noriyuki
Department Of Materials Science And Technology Kyushu University
-
宮川 鈴衣奈
三重大学大学院工学研究科
-
楊 士波
三重大学大学院工学研究科
-
桑原 崇彰
九州大学大学院総合理工学府
-
光原 昌寿
九州大学大学院総合理工学府
-
平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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