MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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III族窒化物半導体は光・電子デバイスに多く応用されているが、分極電界発生による効率低下が課題である。分極電界の問題を解決するため、無極性面での成長が注目され、現在研究が盛んに行われている。また、デバイスへの応用には無極性面GaN膜の結晶性を改善する必要がある。r面サファイアを窒化処理することで、a面GaNの結晶性の向上が期待できるが、r面サファイア窒化処理の最適条件など詳細は不明である。そこで本研究では、r面サファイア上へのa面GaN成長における窒化処理の影響をGaN結晶性との関係から詳細に調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-05-07
著者
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
馬 ベイ
三重大学工学部電気電子工学科
-
宮川 鈴衣奈
三重大学工学部電気電子工学科
-
胡 衛国
三重大学工学部電気電子工学科
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
-
宮川 鈴衣奈
三重大学大学院工学研究科
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