Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• 本研究では微細加工技術を用いて,赤外領域での選択的な波長制御が可能な二次元フォトニック結晶の作製をSi表面に試みた.その結果,約11μm付近で選択的な波長制御が可能なフォトニック結晶の作製に成功した.また,さらにHF:HNO_3:H_2Oの混合液でエッチングを行うことで最大放射率79%のその選択的な波長を得た.金薄膜の堆積法の検討を行うことによって,最大放射率とその選択性は側面への堆積のされ方に関係していることが明らかになった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-05-11

著者

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 石井 丈晴

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 松岡 史晃

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

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