AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II

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概要

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• The crystalline structure of GaN grown by MOVPE on SiO2-stripe-patterned (111)Si, using AlGaN intermediate layer, was observed by transmission electron microscope for several growth stages. Islands growth of AlGaN occurred both in the window region and on the mask. But, only AlGaN in the window region serves as nucleation center for the GaN growth. These GaN islands occurred in the window region coalesce and form a stripe structure. Mainly observed defects in the GaN stripes are threading dislocations, which are generated by coalescence of GaN islands. Bending of the threading dislocations was observed.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 澤木 宣彦

  名大・工・電子工学

• 田中 成泰

  名大・工

• 川口 靖利

  名大・工

• 山田 和弘

  名大・工

• 日比野 倫夫

  名大理工総研

• 平松 和政

  三重大・工

• 田中 成泰

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 日比野 倫夫

  名古屋大学理工科学総合研究センター

• 平松 和政

  三重大 工

• 山田 和弘

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

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