MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
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概要
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MOVPE法によりInGaN/GaN及びInGaN/AIGaNヘテロ構造を作製した。InGaN成長初期段階において、Inモル分率が熱力学的平衡状態により決定される値よりも小さくなる「組成引き込み効果」が存在することを見いだした。これは、InGaNとGaN、AIGaN間の格子不整合に帰因する歪みエネルギーを緩和するために、成長過程においてInが排除されることにより生じると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-16
著者
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
川口 靖利
名大・工
-
川口 靖利
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
平松 和政
名古屋大学工学部電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
清水 誠也
名古屋大学工学部電子工学科
-
沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
-
清水 ヨ也
名古屋大学 工学部 電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大
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