MBE成長したSi高濃度δドープGaAsのC-Vプロファイル
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概要
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MBE成長によりSiを高濃度にδドープしたGaAsのシート導電率C-Vプロファイルを評価した。シート導電率はドーピング濃度1.2×10^13>cm^-2>まではドービング濃度と共に増加した。更にドーピング濃度を増やすと逆にシート導電率は減少した。C-Vプロファイルの測定からシート導電率が減少しはじめる付近でイオン化不純物Siが表面偏析していることが見いだされた。また成長濃度が500℃の場合に、もっともイオン化不純物Siの閉じ込め効果が大きくなった。液体ヘリウム温度におけるファトルミネッセンス測定の結果、シート導電率が減少する高濃度ドーピング領域でSi_Ga>-Si_As>のドナー・アクセプタ対発光(DAペア発光)が現れることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-20
著者
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
後藤 英雄
名古屋大学工学部電子工学科
-
原 邦彦
日本電装(株)
-
鈴木 孝昌
日本電装(株)
-
伊藤 寛
日本電装研究部
-
原 邦彦
日本電装研究部
-
鈴木 孝昌
名古屋大学工学部電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
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