Siを原子層ドープしたGaAsのラマン散乱 : δドープ層固有の格子振動モードに関して
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概要
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GaAsにSiをδドープした構造のラマン散乱を成長層に垂直し光を入射する後方散乱配置にて測定し、δドープ層固有の格子振動によると思われる信号を見いだした。この信号はGaAsのLOフォノンとTOフォノンのエネルギーの間に観測され、δドープ層に閉じ込められたキャリアの濃度の減少とともに高エネルギーに側へシフトしてゆくことが分かった。このモードが、GaAsの縦光学振動モードとδモード層に閉じ込められたキャリアとの結合モードであることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-20
著者
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
後藤 英雄
名古屋大学工学部電子工学科
-
原 邦彦
日本電装(株)
-
鈴木 孝昌
日本電装(株)
-
坂部 孝雄
名古屋大学工学部電子工学科
-
鈴木 孝昌
日本電装研究部
-
伊藤 寛
日本電装研究部
-
原 邦彦
日本電装研究部
-
澤木 宣彦
名古屋大学
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