MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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同一の(100)GaAs基板に、フオトリソグラフィーとウエットエッチングにより深さ300nm、幅1μmと3μmのストライプを[011]方向に形成した後、分子線エピタキシー法によりGaAs / AlGaAs 量子井戸構造の作製を行った。その結果、ストライプ幅の違いにより成長したGaAs井戸幅に違いが現れることを確認した。ストライプ上に形成された井戸幅をカソードルミネッセンス発光波長から見積もると、ストライプ幅3μmでは井戸幅6.9nmであったのに対し、ストライプ幅1μmでは井戸幅8nmであり、約1nm厚く形成された。この相違は、(111)ファセット面から(100)面へGa化学種がマイグレーションすることに起因する。また、ストライプ幅3μmにおいて、(100)面上での量子井戸幅がリッジ部分で厚くなっていたことから、この面でのGa化学種の拡散長け3μmより短いと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学
-
西本 宜央
名古屋大学大学院工学研究科
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