Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm〜590nm、井戸幅2nm〜9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。

• 2012-05-10

著者

• 本田 善央

  名古屋大学

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大学

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 谷川 智之

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 久志本 真希

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター

• 山口 雅史

  名古屋大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学

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