AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 長時間・大電流駆動によるAlGaN系紫外発光素子の通電特性の変化から発光効率とリーク電流成分の増大の関連性、また、発光層への注入効率とリーク成分の関係性を調べた.劣化初期、通電時間が経つとともにリーク電流は増大、IQEは一定であった.しかし、駆動時間400時間目の結果からIQEの低下が観測された.その原因はリーク電流によるジュール熱であると考えられる.

• 2011-05-12

著者

• 本田 善央

  名古屋大学

• 杉山 貴之

  名城大学理工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 平野 光

  大阪ガス開発研究部

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 谷川 智之

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 平野 光

  創光科学

• ペルノー シリル

  創光科学

• 朴 貴珍

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 杉山 貴之

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 稲津 哲彦

  創光科学

• 藤田 武彦

  創光科学

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学

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