GaN系HFETsの電流コラプスの測定--非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET (シリコン材料・デバイス)

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概要

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• 2011-05-19

著者

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

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