Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。
- 2007-10-04
著者
-
本田 善央
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
中島 由樹
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学
-
本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
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