本田 善央 | 名古屋大学大学院工学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
山口 雅史
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
谷川 智之
名古屋大学工学研究科
-
谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
-
杉山 貴之
名城大学理工学研究科
-
杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
天野 浩
名城大学
-
久志本 真希
名古屋大学大学院工学研究科
-
森 勇介
阪大・院工
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
-
今出 完
阪大院工
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
白 知鉉
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
白 知鉱
名古屋大学工学研究科
-
平野 光
大阪ガス開発研究部
-
北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
-
森 勇介
大阪大 工
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部
-
今出 完
大阪大学大学院工学研究科
-
平野 光
創光科学
-
ペルノー シリル
創光科学
-
朴 貴珍
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
稲津 哲彦
創光科学
-
藤田 武彦
創光科学
-
磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
-
押村 吉徳
名城大学大学院理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
-
田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
-
田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学
-
岩谷 素顕
名城大学・理工学部
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
-
福山 敦彦
宮崎大工
-
碇 哲雄
宮崎大工
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
中島 由樹
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
竹内 哲也
名城大理工
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
上山 智
名城大学・理工学部
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター
-
山口 雅史
名古屋大学大学院工学研究科
著作論文
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 (電子部品・材料)
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響