今出 完 | 阪大院工
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概要
関連著者
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今出 完
阪大院工
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川村 史朗
阪大院工
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森 勇介
阪大・院工
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北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
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北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
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吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
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佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
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森 勇介
大阪大 工
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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本田 善央
名古屋大学
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杉山 貴之
名城大学理工学研究科
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森 勇介
阪大院工
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竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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北岡 康夫
大阪大学工学部
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
山口 雅史
名古屋大学
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今出 完
大阪大学大学院工学研究科
-
杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
-
押村 吉徳
名城大学大学院理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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岩谷 素顕
名城大学・理工学部
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学
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上山 智
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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佐々木 孝友
大阪大学
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佐々木 孝友
阪大工
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佐々木 孝友
阪大院工
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吉村 政志
阪大院工
-
川原 実
阪大院工
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今出 完
阪大院・工
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川村 史朗
阪大院・工
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吉村 政志
阪大院・工
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森 勇介
阪大院・工
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佐々木 孝友
阪大院・工
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川原 実
大阪大学大学院工学研究科
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
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兒玉 了祐
阪大院工
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坂和 洋一
阪大レーザー研
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尾崎 典雅
阪大理
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宮西 宏併
阪大理
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佐野 孝好
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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木村 友亮
阪大院工
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宮西 宏併
阪大院工
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尾崎 典雅
阪大院工
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佐野 孝好
阪大レーザー研
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兒玉 了祐
阪大工
-
木村 友亮
阪大工
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佐野 智一
阪大院工
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児玉 了祐
大阪大院・工・レーザー研
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椿本 孝治
阪大レーザー研
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坂和 洋一
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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塚田 貴大
大阪大学 大学院工学研究科
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佐野 智一
大阪大学大学院工学研究科
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竹内 哲也
名城大理工
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北野 芳裕
阪大院工
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山田 憲秀
阪大院工
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北岡 康夫
阪大院工
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小椋 隆史
阪大院・工
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北岡 康夫
阪大院・工
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兒玉 了祐
大阪大学大学院 工学研究科
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實井 辰也
阪大院工
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尾崎 典雅
エコールポリテクニーク高強度レーザー応用研究所
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児玉 了介
レーザー研
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佐野 智一
大阪大 大学院工学研究科
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天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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曽田 智史
阪大院工
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塚田 貴大
阪大院工
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一色 勇太朗
阪大院工
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川村 史朗
物質・材料研究機構
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佐野 智一
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
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児玉 了裕
阪大工 阪大レーザー研
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上山 智
名城大学・理工学部
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佐野 智一
大阪大学大学院 工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
坂和 洋一
阪大レーザー
-
佐野 孝好
阪大レーザー
著作論文
- 01aA10 GaH-VPE法による窒化ガリウム単結晶成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA09 Liフラックスを用いた2H-SiC結晶の液相成長(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第14回)Liフラックスを用いた2H-SiC単結晶成長法の開発
- 26aB03 金属ガリウム原料を用いた窒化ガリウム結晶の気相成長(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- 高圧昇華法によるGaN単結晶育成(窒化物半導体結晶)
- 窒化ガリウム(GaN)の極超高圧衝撃圧縮実験
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第6回)Naフラックス法を用いた高品質GaN単結晶基板の開発
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))