01aA09 Liフラックスを用いた2H-SiC結晶の液相成長(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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2H-SiC is an attractive material in the field of high-power devices due to the excellent properties such as the energy band gap widest among all polytypes and so on. The growth of 2H-SiC crystals requires the flux with low melting point since 2H-SiC is more stable at low temperature. We succeeded the solution growth of 2H-SiC using Li flux.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
森 勇介
阪大・院工
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学
-
佐々木 孝友
阪大工
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
今出 完
阪大院工
-
川村 史朗
阪大院工
-
小椋 隆史
阪大院・工
-
今出 完
阪大院・工
-
川村 史朗
阪大院・工
-
吉村 政志
阪大院・工
-
北岡 康夫
阪大院・工
-
森 勇介
阪大院・工
-
佐々木 孝友
阪大院・工
-
北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
-
北岡 康夫
大阪大学工学部
-
佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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