高圧昇華法によるGaN単結晶育成(窒化物半導体結晶)
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概要
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In this study, GaN crystals were grown under high pressure using sublimation method for the purpose of achieving the high growth rate. The growth rate at high pressure is expected to be increased due to rise of decomposition temperature of GaN. We confirmed that the growth rate at high pressure was faster than that at atmospheric pressure. At high pressure of 5kgf/cm^2, about 5μm-thick GaN layer was grown on sapphire.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
今出 完
阪大院工
-
川村 史朗
阪大院工
-
今出 完
阪大院・工
-
川村 史朗
阪大院・工
-
吉村 政志
阪大院・工
-
森 勇介
阪大院・工
-
佐々木 孝友
阪大院・工
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