テラヘルツ波光源のための有機非線形光学結晶 (特集 光と電波の境界領域:テラヘルツ波を使う)
スポンサーリンク
概要
著者
-
森 勇介
阪大・院工
-
高橋 義典
大阪大学大学院工学研究科
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
高橋 義典
大阪大学大学院 工学研究科
-
吉村 政志
大阪大学大学院 工学研究科
-
森 勇介
大阪大 工
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
関連論文
- 創薬バリューチェインのインシリコ技術を活用した阻害剤開発の試み
- DAST結晶を用いた広帯域THz-TDSシステムによる配向カーボンナノチューブフィルムのテラヘルツ応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ波発生用非線形光学結晶の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/IQEC '98報告
- 3P165 ATP合成酵素結晶の高質化(分子モーター))
- 膜タンパク質の結晶化技術の新展開及び創薬バリューチェインの紹介(誌上シンポジウム)
- ReCa_4O(BO_3)_3(Re=Y or Gd)結晶の育成と非線形光学特性
- 希土類・カルシウム・オキシボレート結晶ReCa_4O(BO_3)_3 (Re=Y or Gd)の育成と非線形光学特性
- 希土類・カルシウム・オキシボレート結晶ReCa_4O(BO_3)_3(Re=Y or Gd)の育成と非線形光学特性
- 非線形光学結晶CsLiB_6O_を用いた深紫外コヒーレント光の発生
- 1.5μm帯フェムト秒レーザー励起による非線形有機結晶からのテラヘルツ波発生と時間領域分光装置への応用(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 有機非線形光学結晶を用いたフェムト秒光パルス励起テラヘルツ電磁波発生
- 全固体高出力UVレーザーとその応用
- フェムト秒レーザーによるタンパク質結晶化の制御
- 2.3 レーザー波長変換技術(2. レーザー技術フロンティア,最新レーザーとプラズマ研究)
- 超短パルスレーザーを用いた有機結晶からのTHz波発生(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- タンパク質光結晶化技術
- 非線形光学結晶CLBOの開発と全固体紫外レーザー応用 (21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(新連載・第1回))
- 03aD09 タンパク質結晶のフェムト秒レーザーアブレーションによる単結晶成長誘導(バイオ・有機マテリアル(3),第36回結晶成長国内会議)
- 02aD01 フェムト秒レーザーが誘起する結晶化ダイナミクス(バイオ有機材料の最新の話題について,バイオマテリアルシンポジウム(1),第36回結晶成長国内会議)
- 02aA11 耐レーザー損傷閾値の高いDAST結晶の開発(機能性結晶(3),第36回結晶成長国内会議)
- 02aA10 メタノール-アセトニトリル混合溶媒によるバルクDAST結晶の育成(機能性結晶(3),第36回結晶成長国内会議)
- 02aA09 紫外光発生におけるCsLiB_6O_結晶内部の水不純物の影響(機能性結晶(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA10 GaH-VPE法による窒化ガリウム単結晶成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA09 Liフラックスを用いた2H-SiC結晶の液相成長(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA07 Na系フラックスを用いたGaN単結晶育成における準安定領域の調査(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA06 Naフラックス法によるGaN単結晶基板の評価(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- ホウ酸系非線形光学結晶を用いた全固体紫外レーザー光源
- ハイパワー波長変換レーザー
- 26pPSB-21 GaN(0001)基板表面清浄化手法の開発2(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-15 NaフラックスLPE法で作製した高品質GaN(0001)の表面構造(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTG-8 ルブレン単結晶の低温熱輸送特性(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- Crystal Growth of Laser and Nonlinear Optics(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
- 28aYH-8 フェムト秒レーザー照射によるタンパク質核発生メカニズムの解明(コロイド・巨大分子の結晶成長,領域9,領域12合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aYH-8 フェムト秒レーザー照射によるタンパク質核発生メカニズムの解明(領域9,領域12合同シンポジウム:コロイド・巨大分子の結晶成長,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- フェムト秒レーザー誘起タンパク質結晶核発生 (特集・超短パルスレーザープロセッシング)
- フェムト秒レーザー核発生と溶液撹拌による新しいタンパク質結晶化技術 (特集 次世代技術開発の新展開)
- タンパク質・有機分子の新しい結晶化技術
- 異分野連携による大学発ベンチャー企業の創成
- 短パルスレーザーを用いた蛋白質の結晶化
- DAST結晶を用いた高感度光電界センサの開発
- 基礎研究からビジネス展開へ : 結晶技術の様々な実用化パターン(会員の声)
- 結晶から展開した産学連携・異分野連携とベンチャー起業
- レーザー照射&溶液攪拌による新しいタンパク質結晶成長技術 : 発想の原点(最新のブレークスルーとなった成長技術)
- LPE成長法による大型・低転位GaN単結晶の育成(基板結晶)
- 26aB05 サファイア除去基板を用いたGaN単結晶育成(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB11 Naフラックス法を用いたGaN単結晶育成における添加物の効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB12 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長,part I(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB13 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長part II(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 5-327 産学連携を活用した社会人基礎力の育成(II) : 「Internship on Campus」による社会人基礎力の育成(口頭発表論文,(12)エンジニアリングデザイン-II)
- CS-4-6 材料加工用波長変換紫外線レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
- 全固体高出力紫外レーザー
- 全固体高出力紫外レーザー
- 「The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)」 報告
- 非線形光学結晶育成技術の現状と動向
- 非線型光学結晶KAB結晶の育成と評価
- 18aB03 含有OH基低減によるCsLiB_6O_結晶の紫外光への高耐力化(機能性結晶(1),第35回結晶成長国内会議)
- テラヘルツ波光源のための有機非線形光学結晶 (特集 光と電波の境界領域:テラヘルツ波を使う)
- 非線形光学効果を用いた波長変換材料 (特集 波長/スペクトル変換材料の最新動向)
- 有機非線形光学結晶を用いたレーザー走査型テラへルツイメージングシステムの開発(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-1 1.5μm帯フェムト秒レーザー励起による有機非線形光学結晶からのテラヘルツ波発生と広帯域テラヘルツ分光装置への応用(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- P-32 産学連携による社会人基礎力の育成 : 「Internship on Campus」による社会人基礎力の育成((20)インターンシップ,ポスター発表論文)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第18回)機能性有機単結晶の開発
- 有機およびタンパク質結晶育成における短光パルスレーザーの効果
- 電気光学素子応用にむけた有機非線形光学結晶DASTの高品質化と形状制御 : 溶液成長II
- 17aD03 第一原理計算による金属液体への窒素溶解度の算出 : GaNの液相育成のために(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
- 26aB01 フラックス法によるAlN単結晶育成(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB03 金属ガリウム原料を用いた窒化ガリウム結晶の気相成長(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- Naフラックス法によるGaN単結晶の生成メカニズム(窒化物半導体結晶)
- 高圧昇華法によるGaN単結晶育成(窒化物半導体結晶)
- 水溶原料を用いた高品質CsLiB_6O_結晶の育成(機能性結晶I)
- 高品質CsB_3O_5単結晶の育成(機能性結晶I)
- LPE法による大面積・透明GaN単結晶の育成(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- イオンビームエッチングによる紫外用光学素子表面の高レーザー耐力化
- イオンビームによるCLBO結晶表面処理と紫外レーザー損傷耐力に対する評価
- 窒化ガリウム(GaN)の極超高圧衝撃圧縮実験
- Gd_xY_Ca_4O(BO_3)_3結晶の光損傷耐性に対する育成原料品質の効果(機能性結晶I)
- 波長変換用非線形光学結晶
- 実用に供することのできるDAST結晶の作製 (特集 光エレクトロニクス--有機非線形工学材料の最新動向)
- 溶液撹拌による有機非線形光学結晶DASTの結晶性向上 : 溶液成長I
- 有機非線形光学結晶DASTの育成と評価 : バイオクリスタルIV
- モノリシック波長変換素子を用いた超小型全固体紫外レーザーの開発
- 1.2 非線形光学結晶による高調波変換の基礎(非線形光学結晶とそのプラズマ研究への応用)
- 1.3 波長域を拡大する非線形光学結晶(非線形光学結晶とそのプラズマ研究への応用)
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溶液からの結晶成長におけるプロセス制御と新展開 : 酸化物, たんぱく質から窒化物結晶まで
- ボレート系結晶を用いた波長179nm真空紫外レーザー光の発生
- フェムト秒レーザー誘起キャビテーションバブルによるタンパク質の結晶核発生(光で成長する結晶)
- 非線形光学結晶CsB_3O_5の育成と評価
- Naフラックス法によるGaN結晶育成技術 (特集 新照明における素子・材料・応用技術)
- 非線形光学結晶CLBOの不純物制御と紫外光発生応用
- 溶液流れ下におけるタンパク質の結晶成長(タンパク質結晶成長の最前線)
- 固相ハイドロゲル中でのタンパク質結晶化
- 低炭素化海運実現を目指した異分野連携のための人材育成 : 三井造船・船舶ハイブリッド推進システム共同研究講座について(短期連載 寄付講座(4))
- 非線形光学結晶CLBOの不純物制御と紫外光発生応用