Naフラックス法によるGaN単結晶の生成メカニズム(窒化物半導体結晶)
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概要
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We determined the GaN solubility curve and examined the critical pressure to synthesize GaN in Na-Ga melt. Nitrogen solubility in Na-Ga melt was estimated by examination of these results. It was revealed that the amount of nitrogen in the Na-Ga solution system was 100 thousand times to that in Ga melt. Therefore, addition of Na to metal-Ga decreased the required pressure to grow GaN crystals compared with that in Ga melt.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
川村 史朗
阪大院工
-
川村 史朗
阪大院・工
-
吉村 政志
阪大院・工
-
森 勇介
阪大院・工
-
佐々木 孝友
阪大院・工
-
森下 昌紀
阪大院・工
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