26aB05 サファイア除去基板を用いたGaN単結晶育成(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Up to now, GaN single crystal has been grown on MOCVD-GaN substrate with sapphire substrate. However, sapphire substrate introduces stresses on GaN during the growth period. Therefore we removed a sapphire from GaN single crystals which had been grown in the Na flux and tried the homo-epitaxial growth on GaN substrate without sapphire.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
森 勇介
阪大院工
-
佐々木 孝友
阪大院工
-
吉村 政志
阪大院工
-
川原 実
阪大院工
-
川村 史朗
阪大院工
-
森下 昌紀
阪大院・工
-
川原 実
大阪大学大学院工学研究科
-
梅田 英和
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
山田 祐嗣
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
山田 祐嗣
阪大院工
-
梅田 英和
阪大院工
-
森下 昌紀
阪大院工
-
佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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