森下 昌紀 | 阪大院・工
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概要
関連著者
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吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
川村 史朗
阪大院工
-
森下 昌紀
阪大院・工
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
-
森下 昌紀
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
吉村 政志
大阪大学大学院 工学研究科
-
岩橋 友也
大阪大学大学院工学研究科
-
川村 史朗
大阪大学大学院工学研究科
-
川原 実
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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上山 智
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名城大学理工学研究科
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井村 将隆
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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梅田 英和
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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山田 祐嗣
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
井村 将隆
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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川村 史朗
阪大院・工
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吉村 政志
阪大院・工
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森 勇介
阪大院・工
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佐々木 孝友
阪大院・工
-
佐々木 孝友
大阪大学
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佐々木 孝友
阪大工
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下條 亮平
阪大院・工
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川原 実
阪大院・工
-
川村 史郎
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇介
阪大・院工
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吉村 政志
大阪大学工学部電気工学科
-
森 勇介
大阪大学工学部電気工学科
-
森 勇介
阪大院工
-
佐々木 孝友
阪大院工
-
赤崎 勇
名城大・理工
-
佐々木 孝友
大阪大学工学部
-
吉村 政志
阪大院工
-
川原 実
阪大院工
-
森 勇介
大阪大学工学部
-
下條 亮平
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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山田 祐嗣
阪大院工
-
梅田 英和
阪大院工
-
森下 昌紀
阪大院工
-
山田 祐嗣
阪大院・工
-
梅田 英和
阪大院・工
-
山田 裕嗣
大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室
-
川村 史朗
大阪大学工学研究科
-
岩橋 友也
大阪大学工学研究科
-
森下 昌紀
大阪大学工学研究科
-
大前 邦途
大阪大学工学研究科
-
赤★ 勇
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
岩橋 友也
阪大院・工
著作論文
- 01aA07 Na系フラックスを用いたGaN単結晶育成における準安定領域の調査(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- LPE成長法による大型・低転位GaN単結晶の育成(基板結晶)
- 26aB05 サファイア除去基板を用いたGaN単結晶育成(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB11 Naフラックス法を用いたGaN単結晶育成における添加物の効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB12 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長,part I(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB13 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長part II(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- Naフラックス法によるGaN単結晶の生成メカニズム(窒化物半導体結晶)
- LPE法による大面積・透明GaN単結晶の育成(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- 金属Naフラックスを用いたGaN単結晶の育成 : 溶液成長II