MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• LPE法により、Naをフラックスとして用いて成長させたGaNおよび、その上にMOVPE法で成長させたGaNの微細構造および光学的特性の評価を行った。その結果、LPE法GaNは非常に低転位であり、かつPL特性が優れていることを確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-05-08

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 井村 将隆

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院 工学研究科

• 川村 史朗

  阪大院工

• 森下 昌紀

  阪大院・工

• 川村 史朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 森下 昌紀

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 吉村 政志

  大阪大学大学院 工学研究科

• 佐野 智昭

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 岩橋 友也

  大阪大学大学院工学研究科

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