GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GaNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラプスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN表面のデバイスでは電流コラプスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成・膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオン型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。
- 2011-05-12
著者
-
森 勇介
阪大・院工
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学
-
杉山 貴之
名城大学理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大理工
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
-
今出 完
阪大院工
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
-
森 勇介
大阪大 工
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
山口 雅史
名古屋大学
-
赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
-
今出 完
大阪大学大学院工学研究科
-
杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
-
押村 吉徳
名城大学大学院理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
上山 智
名城大学・理工学部
-
岩谷 素顕
名城大学・理工学部
-
天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学
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