竹内 哲也 | 名城大学大学院理工学研究科

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概要

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関連著者

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院 工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 今出 完

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 貴之

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 磯部 康裕

  名城大学大学院理工学研究科

• 押村 吉徳

  名城大学大学院理工学研究科

• 山下 浩司

  名城大学大学院理工学研究科

• 加賀 充

  名城大学大学院理工学研究科

• 矢木 康太

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学・理工学部

• 井手 公康

  名城大学大学院理工学研究科

• 山本 準一

  名城大学大学院理工学研究科

• 森 勇介

  阪大・院工

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 貴之

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 今出 完

  阪大院工

• 竹田 健一郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 森 勇介

  大阪大 工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 竹田 健一郎

  名城大

• 山本 準一

  名城大・理工

• 鈴木 敦志

  エルシード株式会社

• 井手 公康

  名城大・理工

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学工学研究科

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著作論文

• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
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