III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電流拡散のためのn-GaN層を有するLEDを作製した。素子表面からの光取り出し量が、従来の半透明電極を用いたLEDよりも1.4倍に向上することがわかった。これは、n-GaN層で横方向に電流が十分拡散し、かつ半透明電極による光吸収を抑制できたためと考えられる。次に、埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造を有する窒化物半導体面発光レーザの注入電流密度と素子抵抗を有限要素法により見積もった。適切な素子構造ではその抵抗が200Ω程度に抑えられ、室温連続動作する可能性を有することを確認した。

• 2011-05-12

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 鈴木 敦志

  エルシード株式会社

• 竹内 哲也

  名城大学大学院理工学研究科

• 山下 浩司

  名城大学大学院理工学研究科

• 加賀 充

  名城大学大学院理工学研究科

• 矢木 康太

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学

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