天野 浩 | 名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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概要
関連著者
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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名城大学 理工学部材料機能工学科
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名古屋大学
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名古屋大学
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名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
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竹内 哲也
名城大理工
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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名古屋大学工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学・理工学部
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本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
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名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
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名城大学理工学部
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名城大学理工学部
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名城大学理工学部
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名古屋大学大学院工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科
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名城大学
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谷川 智之
名古屋大学工学研究科
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名城大学理工学研究科
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名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大・理工
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竹田 健一郎
名城大学
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竹田 健一郎
名城大
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名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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名城大学大学院理工学研究科
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名城大学理工学部
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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森 美貴子
名城大学理工学部
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名城大学大学院理工学研究科
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山本 準一
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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久志本 真希
名古屋大学大学院工学研究科
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阪大・院工
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名城大学理工学研究科
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大阪大学大学院工学研究科
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大阪大学大学院工学研究科
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名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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赤崎 勇
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名城大・理工
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阪大院工
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愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
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名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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名城大学大学院理工学研究科
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大阪大学大学院 工学研究科
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名古屋大学工学部電子工学科
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森 勇介
大阪大 工
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澤木 宣彦
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今出 完
大阪大学大学院工学研究科
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名城大・理工
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エルシード株式会社
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平野 光
創光科学
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創光科学
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名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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創光科学
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藤田 武彦
創光科学
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名城大学理工学部
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磯部 康裕
名城大学理工学部
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名城大学理工学部
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名城大学理工学部
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名城大学理工学部
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名城大学大学院理工学研究科
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名城大学理工学部
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名城大・理工
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名城大学理工学研究科
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加賀 充
名城大学理工学部
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矢木 康太
名城大学理工学部
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伊藤 駿
名城大・理工
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青島 宏樹
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大・理工
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平松 和政
三重大
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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澤木 宣彦
愛知工業大学
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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北野 司
エルシード株式会社
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天野 浩
名古屋大 大学院工学研究科
-
北野 司
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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赤崎 勇
名城大学理工学部
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天野 浩
名城大
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伊藤 健治
名古屋大学工学部
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小出 典克
名古屋大学工学研究科
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小出 康夫
名古屋大学工学部電子工学科
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小出 康夫
独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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平松 和政
三重大 工
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沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
-
小出 典克
名古屋大学工学部電子工学科
-
小出 康夫
京都大学材料工学
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川本 武史
名古屋大学工学部
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澤木 宣彦
名古屋大
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沢木 宣彦
名大・工
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天野 浩
赤崎記念研究セ
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上山 智
名城大学理工学部
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天野 浩
名古屋大学工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター
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山口 雅史
名古屋大学大学院工学研究科
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天野 浩
名古屋大学赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科
著作論文
- 11.照明用LEDの現状と将来展望(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- Al_x,Ga_N/GaN多層構造の作製と評価 : エピタキシーI
- MOVPE法によるサファイヤ基板上へのGaN結晶成長におけるバッファ層の効果
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望 : バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から
- 半導体の元素と周期表(ヘッドライン:周期表を読む)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
- 半導体の元素と周期表
- LED開発の現状と照明の未来(固体光源のさらなる普及と活用分野の拡大に向けて)
- LEDの発展を支える材料
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性