非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• MOVPE法によりr面サファイア上に非極性面a面GaInN系太陽電池を作製し評価した.試料はn-GaN上に光吸収層Ga_<0.88>In_<0.12>N膜厚およそ120 nm,その上にp-GaN100nnmを成長させた.太陽電池特性では短絡電流密度4.8mA/cm^2が得られた.変換効率は1.6%であった.

• 2011-05-12

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 山本 翔太

  名城大学理工学部

• 桑原 洋介

  名城大学理工学部

• 藤井 崇裕

  名城大学理工学部

• 杉山 徹

  名城大学理工学部

• 中尾 達郎

  名城大学理工学部

• 藤山 泰治

  名城大学理工学部

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学

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