AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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AlN/GaN多層膜は、III族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の実現が期待できる。一方、AlNとGaNの格子不整合によるクラックが導入されるため、大面積にわたって高い反射率を有する多層膜反射鏡の作製が困難である。今回、従来用いられるGaNテンプレートの代わりにAlNテンプレートを用いて、クラックの原因であると考えられる引っ張り歪を抑制した多層膜反射鏡の作製を初めて行った。30ペア積層した結果、高反射率(97.5%)を達成し、かつクラックの大幅な抑制を実現することができた。
- 2011-05-12
著者
-
竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
-
竹田 健一郎
名城大・理工
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
竹田 健一郎
名城大学大学院理工学研究科
-
竹田 健一郎
名城大学
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
竹田 健一郎
名城大
-
竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
-
山下 浩司
名城大学大学院理工学研究科
-
加賀 充
名城大学大学院理工学研究科
-
矢木 康太
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
岩谷 素顕
名城大学・理工学部
-
天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学
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