Al_xGa_<l-x>N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察

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概要

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• 本論文では、GaN上にAl_xGa_<l-x>Nをヘテロ接合した場合のクラック発生に関する臨界膜厚のAlNモル分率依存性およびSi濃度依存性について述べる。臨界膜厚は多重光応力測定を用い、成長中のその場観察により求めた。AlNモル分率が増加するにつれ、Al_xGa_<l-x>Nに働く引っ張り応力が大きくなり、臨界膜厚が減少する。またSi濃度を増加すると、同じAlNモル分率の試料でも、成長中に膜中に働いている応力が増加し、臨界膜厚が減少する結果を得た。この原因については、Siの不純物硬化効果による弾性スティフネス定数の増加およびSiによる歪の局在化による弾性限界の減少が原因であると考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-05-11

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 中村 亮

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 赤[サキ] 勇

  名城大学理工学部

• 寺尾 真二

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 寺尾 真二

  名城大学・理工学研究科

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