溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 波長360nm以下の紫外LED、LDの高効率化には、高品質AlGaN下地層が必須である。本報告では、高温MOVPE法によりSapphire(0001)面に成長した厚さ4〜5μmのAlNに、様々なAlNモル分率のAl_xGa_<1-x>Nを成長させたサンプルと、AlNに方形溝を作製して様々なAINモル分率のAl_xGa_<1-x>Nを成長させたサンプルについて、TEMを用いてAl_xGa_<1-x>N中の転位密度のAlNモル分率依存性を評価した。その結果、AlN方形溝上のAl_xGa_<1-x>Nでは、平面AlN上のAl_xGa_<1-x>Nよりも貫通転位密度が低減している事を確認した。また、転位密度のAl組成依存性についても評価した。

• 2008-05-08

著者

• 永松 謙太郎

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大

• 森 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 浅井 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 永松 謙太郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

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