高効率紫外発光素子のためのAlGaN系ヘテロエピタキシャル成長技術 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
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概要
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A high-quality AlGaN with crack-free and low dislocation density is realized using low-temperature-deposited AlN interlayer and lateral seeding epitaxial technologies. UV light-emitting diode (LED) fabricated on the AlGaN layer exhibited high output power of 2.6 mW, operating voltage of 5.7 V and peak wavelength of 363 nm at a forward current of 100 mA (DC). These characteristics are the best in UV LEDs on sapphire substrate.
- 2002-07-01
著者
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
高浪 俊
名城大学大学院・理工学研究科
-
高浪 俊
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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