昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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• 紫外発光デバイス用、高周波・高出力電子デバイス用基板としてAlN単結晶が注目されている。本研究では、昇華法を用いて、従来用いられているSiC(0001)面に加え、MOVPE法によりAlNコーティングされたSiC(0001)面、および他の面方位のSiC上へのAlN成長を試みたので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-10-07

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 高木 俊

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• 野呂 匡志

  イビデン株式会社セラミック事業本部機能部材事業部技術グルーブ

• バラクリッシュナン クリッシュナン

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• 下野 健二

  イビデン株式会社

• 土屋 法隆

  名城大学理工21世紀COEナノファクトリー

• 古庄 智明

  株式会社シクスオン

• 野呂 匡志

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• 赤崎 勇

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• 高木 俊

  イビデン

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