下野 健二 | イビデン株式会社

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概要

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• イビデン株式会社の論文著者

関連著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 下野 健二

  イビデン株式会社

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 高木 俊

  イビデン株式会社

• 野呂 匡志

  イビデン株式会社セラミック事業本部機能部材事業部技術グルーブ

• 野呂 匡志

  イビデン株式会社

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 高木 俊

  イビデン

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 藤元 直樹

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大学理工学研究科

• Balakrishnan Krishnan

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 坂東 章

  昭和電工株式会社

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 土屋 法隆

  名城大学理工21世紀COEナノファクトリー

• 古庄 智明

  株式会社シクスオン

• 渡辺 康弘

  名城大学理工学部

• 下野 健二

  名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー

• 神保 正宏

  名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー

• 坂東 章

  昭和電工(株):名城大学理工学部材料機能工学科

• 神保 正宏

  名城大学理工学部

• 赤★ 勇

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

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著作論文

• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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