天野 浩 | 名城大学理工学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
井村 将隆
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
井村 将隆
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
赤崎 勇
名城大・理工
-
春日井 秀紀
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
本塩 彰
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
三宅 泰人
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
飯田 一喜
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
川島 毅士
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
川島 毅士
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
竹内 哲也
名城大学理工学部
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
-
本塩 彰
名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー
-
飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
-
三宅 泰人
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
-
春日井 秀紀
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
-
春日井 秀紀
名城大 大学院理工学研究科
-
三宅 泰人
名城大 大学院理工学研究科
-
春日井 秀紀
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
-
北野 司
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
北野 司
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
バラクリッシュナン クリッシュナン
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
バラクリッシュナン クリッシュナン
名城大学理工学研究科
-
仲野 靖孝
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学
-
佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
-
木下 博之
(株)シクスオン
-
塩見 弘
(株)シクスオン
-
塩見 弘
シクスオン
-
酒井 浩光
名城大学理工学部
-
酒井 浩光
名城大学理工学部電気電子工学科
-
森田 明理
春秋会城山病院 皮膚科
-
森田 明理
名古屋市立大学医学部皮膚科学教室
-
森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科
-
下野 健二
イビデン株式会社
-
赤[サキ] 勇
名城大学理工学部
-
山口 栄雄
神奈川大学工学部
-
山口 栄雄
名城大学理工学部電気電子工学科
-
稲田 シュンコアルバーノ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
曽田 茂稔
名城大学理工学部
-
天野 浩
名城大学理工学部
-
川村 史朗
阪大院工
-
森下 昌紀
阪大院・工
-
藤元 直樹
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
中幡 英章
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
森下 昌紀
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
稲田 シュンコ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
秋田 勝史
住友電気工業株式会社
-
橋本 信
住友電気工業株式会社
-
吉村 政志
大阪大学大学院 工学研究科
-
田辺 達也
住友電気工業
-
岩橋 友也
大阪大学大学院工学研究科
-
仲野 靖孝
名城大学理工学研究科
-
成田 剛
名城大学理工学研究科
-
藤元 直樹
名城大学理工学研究科
-
津田 道信
名城大学理工学研究科
-
成田 剛
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
寺尾 真二
名城大学理工学部電気電子工学科
-
森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科感覚器・形成医学講座・加齢・環境皮膚科学分野
-
寺尾 真二
名城大学・理工学研究科
-
津田 道信
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社
-
苅谷 道彦
名城大学理工学部電気電子工学科
-
飯田 大輔
名城大学理工学研究科
-
竹田 健一郎
名城大・理工
-
中幡 英章
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
中村 亮
名城大学理工学部電気電子工学科
-
竹田 健一郎
名城大学
-
永田 賢昌
名城大学理工学研究科
-
永松 謙太郎
名城大学理工学研究科
-
松原 哲也
名城大学理工学研究科
-
三島 俊介
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
浅井 利浩
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
若山 雅文
システム技研株式会社
-
湯川 洋平
名城大学理工学部電気電子工学科
-
木下 博之
シクスオン
-
仲野 清孝
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
木下 博之
(株)シタスオン
-
塩見 弘
(株)シタスオン
-
川村 史朗
大阪大学大学院工学研究科
-
秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
高木 俊
イビデン株式会社
-
三島 俊介
名城大学大学院・理工学研究科 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
野呂 匡志
イビデン株式会社セラミック事業本部機能部材事業部技術グルーブ
-
前田 晃
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学
-
高浪 俊
名城大学大学院・理工学研究科
-
土屋 法隆
名城大学理工21世紀COEナノファクトリー
-
古庄 智明
株式会社シクスオン
-
野呂 匡志
イビデン株式会社
-
渡辺 康弘
名城大学理工学部
-
下野 健二
名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー
-
神保 正宏
名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー
-
小嵜 正芳
名城大学理工学部電気電子工学科
-
加藤 久喜
名城大学理工学部電気電子工学科
-
高浪 俊
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
-
竹田 健一郎
名城大
-
高木 俊
イビデン
-
神保 正宏
名城大学理工学部
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学
-
森田 明理
愛知県厚生農業協同組合連合会知多厚生病院 皮膚科
-
小林 桂子
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学教室
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
中幡 英章
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
-
中幡 英章
住友電気工業
-
赤★ 勇
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
天野 浩
名城大学
-
小林 正和
名城大学理工学部
-
田淵 雅夫
名大工
-
Burm J.
Department Electrical Engineering Cornell University
-
稲田 シュンコアルバーノ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻、21世紀COEナノファクトリー
-
岩谷 素顕
理工学研究科ハイテク・リサーチ・センター
-
上山 智
21世紀COEナノファクトリー
-
前田 晃
名古屋市大 大学院医学研究科 加齢・環境皮膚科学
-
Schaff W.
Department Electrical Engineering, Cornell University
-
Eastman L.
Department Electrical Engineering, Cornell University
-
川村 史郎
大阪大学大学院工学研究科
-
Schaff W.
Department Electrical Engineering Cornell University
-
Eastman L.
Department Electrical Engineering Cornell University
-
秋田 勝史
住友電気工業
-
橋本 信
住友電気工業
-
前田 晃
名古屋市立大学大学院医学研究科 加齢・環境皮膚科学
-
森田 明理
名古屋市立大学医学研究科皮膚科
-
古川 義純
北海道大学低温科学研究所
-
柿本 浩一
九州大学機能物質科学研究所科
-
小松 啓
Japan Aerospace Exploration Agency The Institute Of Space And Astronautical Science(jaxa Isas) Iss S
-
森 勇介
大阪大学工学部電気工学科
-
川崎 雅司
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
木村 茂行
無機材質研究所
-
木村 茂行
(社)未踏科学技術協会
-
長谷川 正
東京大学物性研究所
-
金子 聰
東京理科大学理学部
-
川添 良幸
東北大学金属材料研究所
-
小松 啓
東北大学金属材料研究所
-
佐藤 清隆
広島大学生物生産学部
-
寺嶋 一高
湘南工科大学
-
日比谷 孟俊
日本電気(株)基礎研究所
-
松浦 良樹
大阪大学蛋白研究所
-
森 英史
NTT(株)光エレクトロニクス研究所
-
寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
-
杉山 貴之
名城大学理工学研究科
-
日比谷 孟俊
東京都立科学技術大学工学部
-
天野 浩
名城大学・理工学部理工学研究科21世紀coeプログラム"ナノファクトリー
-
中村 哲也
名城大学・理工学研究科
-
稲森 正彦
名城大学理工学部電気電子工学科
-
柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
-
近藤 直範
名城大学理工学部電気電子工学科
-
森 勇介
大阪大学工学部
-
小松 啓
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
-
松浦 良樹
阪大蛋白研
-
柿本 浩一
九州大学機能物質科学研究所
-
本塩 彰
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
-
宮崎 敦嗣
名城大学大学院・理工学研究科
-
松浦 良樹
大阪大学蛋白質研究所
-
天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
-
Wetzel Christian
High Tech Research Center Meijo University:(present Address)uniroyal Optoelectronics
-
吉田 雅人
名城大学理工学部電気電子工学科
-
矢野 雅大
名城大学理工学部電気電子工学科
-
佐野 重和
名城大学理工学部電気電子工学科
-
古川 義純
北海道大学
-
川口 真
名城大学理工学部電気電子工学科
-
西川 真樹
名城大学理工学部電気電子工学科
-
太田 勝博
名城大学理工学部電気電子工学科
-
日比谷 孟俊
日本電気(株)
-
森 英史
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
日比谷 孟俊
NEC 研究開発グループ
-
近藤 哲夫
名城大学理工学部電気電子工学科
-
望月 信吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
中村 哲也
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
望月 信吾
名城大学・理工学研究科
-
佐野 重和
名城大学・理工学研究科
-
長谷川 正
名古屋大学工学研究科
-
Wetzel Christian
名城大学理工学部電気電子工学科
-
興津 弘道
名古屋大学大学院工学研究科
-
荒木 宗貴
名古屋大学大学院工学研究科
-
宮崎 敦嗣
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
小出 隆史
名城大学理工学部電気電子工学科
-
山口 真智子
名城大学理工学部電気電子工学科
-
鈴木 啓之
名城大学理工学部電気電子工学科
-
Monemarg Bo
Department of Physics and Measurement Technology, Linkoping University
-
Monemarg Bo
Department Of Physics And Measurement Technology Linkoping University
-
木村 茂行
(現)(社)未踏科学技術協会:科学技術庁無機材質研究所
-
田渕 雅夫
名古屋大学
著作論文
- LEDによるJurkat細胞への紫外線照射特性
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発(有機材料,一般)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価 (有機エレクトロニクス)
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 21世紀の結晶成長の3大過大(21世紀の結晶成長の3大課題)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
- III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
- III族窒化物半導体による紫外光源の開発動向
- 第3回ナイトライド半導体国際会議(ICNS'99)報告
- 有機金属化合物気相成長法
- 青色発光素子
- 窒化ガリウム
- III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT (電子デバイス)
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価(有機材料,一般)
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- LEDによる Jurkat 細胞への紫外線照射特性
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 周期溝段差基板を用いたGaN系窒化物単結晶基板の作製及び評価 : エピタキシャル成長II
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- 量子井戸活性層を用いたIII族窒化物発光素子
- ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 分光エリプソメトリーによるIII族窒化物半導体の屈折率の波長分散の評価
- 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
- 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
- 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
- III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
- 金属Ga及びNH_3を用いたGaNの成長
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- AlGaN系紫外発光素子における転位密度と発光効率(紫外発光材料の現状と将来)
- 高効率紫外発光素子のためのAlGaN系ヘテロエピタキシャル成長技術 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
- 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
- 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
- サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN, GaInINの結晶学的特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- GaNの誘導放出機構と混晶効果
- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
- III族窒化物半導体結晶成長における低温堆積緩衝層の構造とその効果 : エピタキシャル成長II
- サファイア基坂上III族窒化物半導体成長における低温堆積層
- サファイア基板上III族窒化物半導体成長における低温堆積層の効果と機構
- 窒化ガリウム系結晶の開発 -その歴史と展望-
- MBE法によるGaInN系多層構造の作製
- 短波長可視・紫外発光デバイス開発と半導体ヘテロエピタキシー
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- 窒化ガリウム系III族窒化物半導体のヘテロエピタキシー(格子不整合系のヘテロエピタキシー)
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価