酒井 浩光 | 名城大学理工学部電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 酒井 浩光

  名城大学理工学部

• 酒井 浩光

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 曽田 茂稔

  名城大学理工学部

• 近藤 直範

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 小出 隆史

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• 山口 真智子

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• 鈴木 啓之

  名城大学理工学部電気電子工学科

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著作論文

• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• 金属Ga及びNH_3を用いたGaNの成長
• GaNの誘導放出機構と混晶効果
• MBE法によるGaInN系多層構造の作製
• 窒化ガリウム系III族窒化物半導体のヘテロエピタキシー(格子不整合系のヘテロエピタキシー)

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