金属Ga及びNH_3を用いたGaNの成長
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概要
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GaN系III族窒化物半導体は、短波長発受光素子や耐環境電子素子への応用が期待されている。MBE法は層厚制御性に優れ、急峻な界面をもつヘテロ接合の作製が容易である。そこでガスソースMBE法を用いてサファイア基板上にGaNの成長を試みた。よく知られているようにサファイア基板上へのGaNの成長では、サファイアとGaNの界面制御が高品質結晶作製に必要不可欠である。今回、界面制御について種々検討し、高品質結晶作製のための知見を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-19
著者
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