量子井戸活性層を用いたIII族窒化物発光素子
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
III族窒化物半導体レーザーダイオードは、他の材料系と比較して規格化閾値電流密度が大きいことが予想され、その実用化には低閾値化、直列抵抗の低減化は必要不可欠である。低閾値化のためには量子井戸活性層は必須である。今回、我々は有機金属化合物気相成長(MOVPE)法によりSapphire基板上にGaN/GaInN量子井戸活性層を用いたデバイスを作製し、その評価をEL測定、I-L測定により行った。その結果GaN/GaInN量子井戸活性層の層数の増加に伴い光出力が増加することを見い出した。また、デバイスの直列抵抗低減のため内部電流狭窄構造を作製し、狭窄部からの発光を観測した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
曽田 茂稔
名城大学理工学部
-
吉田 雅人
名城大学理工学部電気電子工学科
-
川口 真
名城大学理工学部電気電子工学科
-
西川 真樹
名城大学理工学部電気電子工学科
-
太田 勝博
名城大学理工学部電気電子工学科
関連論文
- LEDによるJurkat細胞への紫外線照射特性
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発(有機材料,一般)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価 (有機エレクトロニクス)
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 21世紀の結晶成長の3大過大(21世紀の結晶成長の3大課題)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 青色発光デバイスはいかに創られたか
- ホログラフィによる熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの熱変形パターン計測
- 熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの接触抵抗とホログラフィによる熱変形計測
- 青色発光ダイオードを求めて
- p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
- III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
- III族窒化物半導体による紫外光源の開発動向
- 第3回ナイトライド半導体国際会議(ICNS'99)報告
- 第3回ナイトライド半導体国際会議(ICNS'99)報告
- 第3回ナイトライド半導体国際会議(ICNS'99)報告
- 第3回ナイトライド半導体国際会議(ICNS'99)報告
- 有機金属化合物気相成長法
- 青色発光素子
- 窒化ガリウム
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT (電子デバイス)
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価(有機材料,一般)
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- LEDによる Jurkat 細胞への紫外線照射特性
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 周期溝段差基板を用いたGaN系窒化物単結晶基板の作製及び評価 : エピタキシャル成長II
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- 量子井戸活性層を用いたIII族窒化物発光素子
- ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 分光エリプソメトリーによるIII族窒化物半導体の屈折率の波長分散の評価
- 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
- 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
- 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
- III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
- 金属Ga及びNH_3を用いたGaNの成長
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- AlGaN系紫外発光素子における転位密度と発光効率(紫外発光材料の現状と将来)
- 高効率紫外発光素子のためのAlGaN系ヘテロエピタキシャル成長技術 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
- 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
- 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
- サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN, GaInINの結晶学的特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- GaNの誘導放出機構と混晶効果
- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
- III族窒化物半導体結晶成長における低温堆積緩衝層の構造とその効果 : エピタキシャル成長II
- サファイア基坂上III族窒化物半導体成長における低温堆積層
- サファイア基板上III族窒化物半導体成長における低温堆積層の効果と機構
- 窒化ガリウム系結晶の開発 -その歴史と展望-
- MBE法によるGaInN系多層構造の作製
- 短波長可視・紫外発光デバイス開発と半導体ヘテロエピタキシー
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- 窒化ガリウム系III族窒化物半導体のヘテロエピタキシー(格子不整合系のヘテロエピタキシー)
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価