III族窒化物半導体結晶成長における低温堆積緩衝層の構造とその効果 : エピタキシャル成長II

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概要

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• GaN layers with low-temperature (LT) GaN buffer layers were grown on sapphire substrates by OMVPE. The samples were investigated by X-ray CTR. X-ray reflectivity and AFM measurements. The results of the measurements showed that quality of the grown layers changed sensitively with the change of the growth process of the buffer layer.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田淵 雅夫

  名大工

• 興津 弘道

  名古屋大学大学院工学研究科

• 荒木 宗貴

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

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