分光エリプソメトリーによるIII族窒化物半導体の屈折率の波長分散の評価
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概要
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窒化ほう素(BN)を除くウルツ鉱型III族窒化物半導体は直接遷移型バンド構造を有し、そのバンドギャップエネルギーは室温で1.9eVから6.2eVまで、可視光全域から近紫外領域にまで至ることから、短波長領域の発受光素子としての応用が期待されている。特にレーザーダイオードへの応用には、ヘテロ構造の作製が必須であり、その設計には各層の光学的特性、特に屈折率の波長分散を知る必要がある。今回、我々は、MOVPE法を用いてサファイア基板上に作製したGaN,AlGaN及びInGaNの屈折率及び消衰係数の波長分散を分光エリプソメトリー法により評価した。Mo特異点(バンドギャップ)は、InGaN,GaN,AlGaNの順に短波長にシフトし、屈折率のE⊥c成分は、Mo特異点で極大となった。
- 1994-05-19
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