三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価

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概要

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• GaN上に成長した三元混晶GaInNの組成と膜厚を変化させ, 結晶学的及び光学的特性の変化について評価を行った.X線回折によりモザイク性のチルトとツイストを測定し, 巨視的結晶性を評価した.また, 顕微フォトルミネッセンスによる発光ピーク波長マッピングの測定から組成ゆらぎの評価を行った.以上の結果, 組成ゆらぎは非常に小さく, むしろモザイク性や表面ラフネスの増大が大きいことが解った.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-11-06

著者

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 山口 栄雄

  神奈川大学工学部

• 苅谷 道彦

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 山口 栄雄

  名城大学理工学部電気電子工学科

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